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【行业*】场效应管 n沟道MOS管-IRF630
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:IRF630 材料:GE-N-FET锗N沟道 用途:L/功率放大 品牌/商标:ST/意法 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:IRF630 材料:GE-N-FET锗N沟道 用途:L/功率放大 品牌/商标:ST/意法 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型